Un projet pour la miniaturisation des composants nanoélectroniques

Publié par Isabelle le 05/03/2015 à 12:00
Source et illustration: Europa
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Un projet de recherche européen a effectué un grand pas en avant vers la miniaturisation des composants nanoélectroniques grâce à un nouveau matériau très prometteur, le silicène. Son objectif est de créer les dispositifs du futur, beaucoup plus puissants et énergétiquement efficaces.

Le silicène, un nouveau matériau semi-conducteur (Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un...) qui réunit les propriétés du silicium (Le silicium est un élément chimique de la famille des cristallogènes, de symbole Si...) et du graphène (Cet article ne doit pas être confondu avec l’article graphème.), est l'un des principaux candidats pour la fabrication de circuits électroniques toujours plus fins, pour de futurs dispositifs intelligents.

"L'électronique est aujourd'hui intégrée dans plusieurs couches d'atomes de silicium. S'il est possible de les produire en une seule couche, il est possible de les réduire à des tailles nettement inférieures permettant de réduire les pertes de puissance (Le mot puissance est employé dans plusieurs domaines avec une signification particulière :) et de rendre les dispositifs plus puissants et plus efficients", explique le Dr Athanasios Dimoulas, coordinateur du projet 2D-NANOLATTICES, financé par l'UE.

Le graphène est un matériau intéressant dans le sens où il est formé d'une seule couche d'atomes, mais il ne dispose pas de la "bande interdite" nécessaire pour en faire un matériau semi-conducteur. Le silicène, une forme en 2D du silicium, fait entrer ses propriétés de semi-conducteur dans le monde des matériaux en 2D. Cependant, le problème avec le silicène est qu'il se modifie au contact d'autres matériaux comme les métaux.

Des dispositifs électroniques 100 fois plus petits


La concentration de dispositifs électroniques en une seule couche de silicène tout en maintenant les performances électroniques s'est avérée complexe pour les chercheurs, du moins, jusqu'à présent. Le projet 2D-NANOLATTICES a réalisé une innovation considérable en créant un transistor à effet de champ (FET) à partir de ce matériau innovant pour qu'il fonctionne à température ambiante.

Les FET sont des composants de commutation essentiels dans les circuits électroniques. Leur intégration dans une couche unique d'atomes de silicium (dans une structure de type silicène), puis le transfert de cette couche, cultivée sur un substrat d'argent, vers une autre couche faite d'une substance plus neutre, le dioxyde de silicium, est une réussite de taille. "Les tests ont démontré que les performances du silicène sont excellentes sur le substrat non métallique", se réjouit le Dr Dimoulas, de Demokritos, le Centre national grec de recherche scientifique (La recherche scientifique désigne en premier lieu l’ensemble des actions entreprises en vue...).

"Un transistor composé d'une simple couche de matériau comme le silicium est un défi qui n'avait jamais été réalisé auparavant, il s'agit donc d'une découverte capitale. Il sera possible, sur la base de ce résultat, de fabriquer des transistors jusqu'à 100 fois plus petits en épaisseur", ajoute le Dr Dimoulas.

Reconnaître le potentiel


Maintenant que le transistor a pu être réduit en épaisseur à une seule couche 2D d'atomes, il est possible de réduire ses dimensions également latéralement, c'est-à-dire que la même zone sur une puce pourrait supporter jusqu'à 25 fois plus d'électronique, d'après les calculs du Dr Dimoulas.

De plus, l'utilisation d'un canal unique et étroit pour conduire le courant électrique réduirait les pertes de puissance, un problème qui préoccupe depuis longtemps l'industrie des semi-conducteurs; en effet, comment réduire la taille sans entraîner de surchauffe (La surchauffe est une opération physique qui a lieu dans un moteur à vapeur.) sous la forme de pertes de puissance?

Il s'agit donc d'une bonne nouvelle pour les fabricants de puces électroniques, étant donné que la course pour fabriquer la prochaine vague des technologies de communication a pris davantage d'ampleur avec l'arrivée des réseaux mobiles 5G.

Le projet 2D NANOLATTICES qui a reçu une subvention de 1,63 million (Un million (1 000 000) est l'entier naturel qui suit neuf cent quatre-vingt-dix-neuf...) d'euros du programme 7e PC (au titre du programme des Technologies futures et émergentes), a duré du 1er juin 2011 au 31 août 2014 et a réuni six partenaires, de quatre pays de l'UE.

Pour plus d'information voir: Projet 2D NANOLATTICES
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