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Caractéristiques du livre :
- Auteur: Collectif
- Editeur: Dunod
- Date de parution: 3 Avril 2001
- Format: Broché
- Dimensions: 17 cm x 24 cm x 1 cm
- Nombre de pages:
- Prix indicatif: 18,91 € - Acheter ce livre sur Amazon.fr



Quatrième de couverture

Ce recueil de 42 problèmes résolus complète le cours Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques de Henry Mathieu. Les problèmes sont répartis en cinq parties • la première aborde les différents phénomènes et effets physiques qui régissent les caractéristiques des électrons dans les semi-conducteurs ; • la deuxième est consacrée aux composants bipolaires et aux propriétés de la jonction pn qui constitue la structure de base de ces composants; • la troisième partie traite des composants unipolaires avec les hétérostructures (contact métal/semi-conducteur ; métal/isolant/ semi-conducteur) ainsi que des composants actifs, tels que les différents types de transistors à effet de champ ; • dans la quatrième partie, le domaine important des composants optoélectroniques est abordé en traitant les phénomènes d'interaction du rayonnement avec le semi-conducteur et avec les cellules photoconductrices, photodiodes, cellules solaires, diodes électroluminescentes et diodes lasers ; • la dernière traite des effets quantiques rencontrés dans les hétérostructures semi-conductrices. Certains problèmes, dont la résolution est numérique, permettent de comparer les solutions exactes des équations aux solutions approchées. Les programmes utilisent le logiciel Maple V.


Table des matières

AVANT-PROPOS
CONSTANTES
PARTIE 1 / PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS
CHAPITRE 1 * SEMI-CONDUCTEURS HOMOGÈNES
1.1 Semiconducteur compensé
1.2 Semiconducteur non-dégénéré
1.3 Semiconducteur dégénéré
1.4 Effet de la température
CHAPITRE 2 * SEMICONDUCTEURS À PROFIL DE DOPAGE QUELCONQUE
2.1 Profil de dopage - Distribution des porteurs
2.2 Profil de dopage - Charge d'espace
2.3 Profil de dopage - Résistivité
CHAPITRE 3 * SEMICONDUCTEUR HORS ÉQUILIBRE
3.1 Effet Hall
3.2 Émission thermoélectronique
3.3 Effet Gunn
PARTIE 2 / COMPOSANTS BIPOLAIRES
CHAPITRE 4 * JONCTION pn À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE
4.1 Jonction pn abrupte
4.2 Jonction pn graduelle
4.3 Jonction pn à profil variable
CHAPITRE 5 * JONCTION pn HORS ÉQUILIBRE
5.1 Jonction pn abrupte polarisée
5.2 Jonction pn - Courants de génération/recombinaison
5.3 Jonction pn - Injection des porteurs
5.4 Jonction pn en régime alternatif
CHAPITRE 6 * MULTIJONCTIONS À L'ÉQUILIBRE THERMODYNAMIQUE
6.1 Jonction pin - Capacité
6.2 Structure CCD - Distribution des champs et potentiel électriques
CHAPITRE 7 * TRANSISTORS BIPOLAIRES
7.1 Transistor à base homogène
7.2 Transistor à base exponentielle
7.3 Effet Early
PARTIE 3 / COMPOSANTS UNIPOLAIRES
CHAPITRE 8 * DIODES SCHOTTKY
8.1 Diode Schottky à l'équilibre
8.2 Diode Schottky polarisée
8.3 Diode Schottky : C(V)
CHAPITRE 9 * STRUCTURE MÉTAL ISOLANT SEMICONDUCTEUR
9.1 Capacité MIS en régime stationnaire
9.2 Capacité MOS en régime transitoire
CHAPITRE 10 * TRANSISTORS UNIPOLAIRES
10.1 Transistor JFET en régime linéaire
10.2 Transistor JFET en régime de saturation
10.3 Transistor MOSFET
PARTIE 4 / COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
CHAPITRE 11 * INTERACTION RAYONNEMENT-SEMICONDUCTEUR
11.1 Photogénération de porteurs
11.2 Distribution des photoporteurs en régime stationnaire
11.3 Champ électrique interne
11.4 Éclairement stationnaire localisé
11.5 Éclairement variable localisé
CHAPITRE 12 * PHOTODÉTECTEURS
12.1 Cellule photoconductrice
12.2 Cellule photovoltaïque
12.3 Photopile
CHAPITRE 13 * PHOTOÉMETTEURS
13.1 Diode électroluminescente - LED
13.2 Diode laser - LD
PARTIE 5 / EFFETS QUANTIQUES
CHAPITRE 14 * HÉTÉROSTRUCTURES À EFFETS QUANTIQUES
14.1 Puits quantique GaAs/GaAIAs
14.2 Hétérostructures complexes : méthode des matrices de transfert
INDEX




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