Voici la reponse au mail:
"Here is the answer that came from the researcher, Ritesh Agarwal:
Due to the nature of random access architecture of phase change memory device,0.7mW can write information on thousands of bits simultaneously."
A+
La recherche a retourné 6 résultats
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- 30/09/2007 - 18:59:29
- Forum : Physique
- Sujet : [News] Des nano mémoires non volatiles 1 000 fois plus rapides
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- 23/09/2007 - 21:38:12
- Forum : Physique
- Sujet : [News] L'alimentation électrique sans fil : enfin une réalité ?
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Je pense pas que cela soit utilisé à très longue distance, c'est une démonstration technologique ! Imaginez s'ils peuvent faire ça à 2m avec 40% de rendement en omnidirectionnel ce qu'il pourrait faire comme rendement à quelque centimetre, ou avec un besoin energetique plus faible. Imaginer que vot...
- 23/09/2007 - 21:23:23
- Forum : Physique
- Sujet : [News] Des nano mémoires non volatiles 1 000 fois plus rapides
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Voici le lien de l'article original: m Pour la conso, j'ai galéré mais je pense qu'au final, dans le cas d'une apply flash 8bit, ca donne 8*0.7mW soit 22mW. A cela il faut rajouter la conso des peripheriques gerant la flash (buffers, generateur d'adresses, registres, controle) qui eux sont en techno...
- 21/09/2007 - 23:51:41
- Forum : Physique
- Sujet : [News] Des nano mémoires non volatiles 1 000 fois plus rapides
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- 21/09/2007 - 18:31:21
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- Sujet : [News] Des nano mémoires non volatiles 1 000 fois plus rapides
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- 21/09/2007 - 17:07:19
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- Sujet : [News] Des nano mémoires non volatiles 1 000 fois plus rapides
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Bonjour a tous, Je me permet quelques remarques concernant l'article: Deja un chiffre me fait tilter: 0.7mW/bit il doit certainement s'agir d'une faute de frappe ou de recopie; 0.7mW/bit donne pour une barrette de 1Go (ce qui est en passe de devenir la norme pour de la RAM, pour de la memoire morte ...