Message
par buck » 24/03/2009 - 9:17:04
D'un certain point de vue ca peut etre un barrage :D
Khainyan:
Mon boulot de tous les jours c'est le developpement de dispositifs actifs microelectronique. Ces dispositifs sont des transitors en CMOS ou bipolaires, diodes, thyristors.
Ces dispositfs doivent remplir quelques conditions dont: etre integre au sein des des puces, et proteger les puces contre les decharges electrostatiques. Ces decharges se carcterisent par une hausse ou baisse brusque du courant ou tension sur les circuits (VDD VSS ...)
Ensuite elles doivent supporter de fortes tensions, car les tensions d'operation de nos puces sont du 15-20-25-50 et 120 V.
Donc pour faire ce developpement il faut proceder en pklusieurs etapes:
reflechir ce qu'on veut et comment le proteger.
faire des simulations de fabrication (TCAD) et comportement electrique de ces dispositifs, ce qui est fonction de la technologie qu'on emploie et de la qualite du simulateur. On fait des variations geometriques (taille du dispositif) et technologique (faire varier la quantite de dopant qu'on met dedans et leur repartition)
Passer ca en silicium
tester, faire des stats et qualifier
Je bosse sur les 3 premiers point jusqu'a l'extraction des statistiques.
Donc ce dessin represente la repartition des dopants (en bleu c'est du bore, en jaune phosphore arsenic germanium indium) dans une coupe 2D d'une diode que je suis en train de faire.
Ca va me permettre par la suite de characteriser cette diode, pour la simulation du breakdown, courant de fuite, ON resistance, dependance en temperature (pas encore valide ce point en TCAD)
"Le soleil, avec toutes ces planetes qui gravitent sous sa gouverne, prend encore le temps de murir une grappe de raisin, comme s'il n'y avait rien de plus important. " Galilee
rien compris à ton explication 
-->
