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Salut
La nouvelle interface semble avoir ete mise en place ce matin, je trouve ca joli,
J'ai un peu de mal a retrouver mes reperes notament avec la disposition des noms a gauche en non pas a droite

Par contre au niveau theme, est ce qu'il est possible de le changer ? si oui je n'ai aps su voir ou

Merci Adrien pour la nouvelle monture

Elle est bien mais c'est trop perturbant les infos à droite

Edit ; Mais ça fait plaisir quand même !

Ps ; Pas trouvé pour changer quoi que ce soit dans le profil ^^

Je dois avouer que je suis un peu perplexe. Je suis un peu perdu, ya des boutons que je ne trouve pas du premier coups d'oeil. Faudra que je m'adapte. C'est sûr que si on avait la possibilité de choisir entre les style, comme pour le site, ce serai pas plus mal.

Oh oui, ce ne serait pas plus mal (mieux ?)

Al Tarf

Moi je trouve cette interface beaucoup plus lisible non ? On dirait même que les fautes d'orthographe disparaissent !

Aldebaran a écrit :Moi je trouve cette interface beaucoup plus lisible non ? On dirait même que les fautes d'orthographe disparaissent ! :lol:

Ca n'est qu'une vue de l'esprit ca l'effacage des fautes :D

Par contre va falloir que je me trouve un avatar, j'arrive meme pas a reperer mes messages :lol:

voila pour l'avatar, je tacherais d'en faire une autre plus jolie

Très perturbant l'avatar à droite, ça serait sympa de pouvoir le remettre à gauche.
J'ai désactivé les signatures car elles se mélangeaient trop aux posts.

allez courage $$$, tu t'y feras.

Aldebaran a écrit :lol buck l'avatar, ça représente quoi ?

reponse simple ou compliquee ? :D
reponse simple: un dessin
reponse compliquee: une representation de la distribution des atomes donneurs et accepteurs dans le silicium ainsi que des couches d'oxyde de silicium, polysilicium, contacts (un peu de SiN aussi) dans une diode HV (haute tension ~ 90V) de protection ESD avec polysilicium faisant office de poly field plate permettant de pousser les porteurs loin de l'interface Si/SiO2

reponse mediane: coupe d'une diode HT integree.

C'est un dispositif dont je simule la fabrication et apres son comportement electrique. Ca sert a proteger des dispositifs "sensibles" contre des decharges electrostatique

A tes souhaits !
Je me contenterais de la première explication

fallait pas demander :D
Mais j'en mettrais d'autres un de ces 4

C'est vrai que je préférais l'avatar à gauche, comme ça correspond au sens de lecture, de gauche à droite, je regardais d'abord l'auteur du poste, ensuite le message... je dois recabler mon cerveau autrement alors ?

oé... tu coupe tes deux nerfs optiques et tu rebranche celui de gauche à droite et vice-versa...
buck: rien compris à ton explication

Je suis pas certain du résultat khainyan

Buck cela aurait pu faire une "image mystérieuse"
On aurait été nombreux à sécher. Je pensais à un dessin représentant un barrage

D'un certain point de vue ca peut etre un barrage :D
Khainyan:
Mon boulot de tous les jours c'est le developpement de dispositifs actifs microelectronique. Ces dispositifs sont des transitors en CMOS ou bipolaires, diodes, thyristors.
Ces dispositfs doivent remplir quelques conditions dont: etre integre au sein des des puces, et proteger les puces contre les decharges electrostatiques. Ces decharges se carcterisent par une hausse ou baisse brusque du courant ou tension sur les circuits (VDD VSS ...)
Ensuite elles doivent supporter de fortes tensions, car les tensions d'operation de nos puces sont du 15-20-25-50 et 120 V.

Donc pour faire ce developpement il faut proceder en pklusieurs etapes:
reflechir ce qu'on veut et comment le proteger.
faire des simulations de fabrication (TCAD) et comportement electrique de ces dispositifs, ce qui est fonction de la technologie qu'on emploie et de la qualite du simulateur. On fait des variations geometriques (taille du dispositif) et technologique (faire varier la quantite de dopant qu'on met dedans et leur repartition)
Passer ca en silicium
tester, faire des stats et qualifier

Je bosse sur les 3 premiers point jusqu'a l'extraction des statistiques.

Donc ce dessin represente la repartition des dopants (en bleu c'est du bore, en jaune phosphore arsenic germanium indium) dans une coupe 2D d'une diode que je suis en train de faire.
Ca va me permettre par la suite de characteriser cette diode, pour la simulation du breakdown, courant de fuite, ON resistance, dependance en temperature (pas encore valide ce point en TCAD)

En fait la grosse nouveauté 2009 du forum c'est pas le design, c'est l'avatar de buck

KiNidoz a écrit :En fait la grosse nouveauté 2009 du forum c'est pas le design, c'est l'avatar de buck :fada:

:D :D

si je peux me permettre ça fait un peu caleçon pendouillant à une corde à linge...
....

ok -->

c'est un peu plus clair buck mais moi je la vois pas la diode là (ni le jaune...)

c'est jaune vert
Sur les outils que j'utilise les zones de type P sont de couleurs froides typiquement bleu, et celle de type N sont de couleurs chaudes (vert jaune rouge). Au milieu il y a un trait qui est brun
Donc on a une jonction PN qui forme une diode.
Le contact de la zone P est au milieu, celle de la zone N n'est pas sur le dessin car plus loin.
En brun c'est les couches d'oxyde (SIO2)
Il y a aussi du polysilicium en orange dans l'oxyde) qui sert a eviter que la zone de breakdown (endroit ou on a déclenchement en avalanche des porteurs) ne se situe pas a cote de l'oxyde au niveau de la jonction mais en profondeur

Michel a écrit :si je peux me permettre ça fait un peu caleçon pendouillant à une corde à linge...
....

ok -->

Salut,

Bien d'accord avec toi.

J'arrive.

$$$ a écrit :

Michel a écrit :si je peux me permettre ça fait un peu caleçon pendouillant à une corde à linge...
....

ok :dehors: -->

Salut,

Bien d'accord avec toi.

J'arrive.

bande de sagouins!! :D
Heureusement que le bleu fonce n'est pas marron ;)

Sur ces belles paroles, bon appétît !

Il ya un truc je sais pas comment gérer ça le symbole nouveau (couleur orange) est sur tous les topics que je n'ouvre pas alors qu'avant ça se remettait à zéro à chaque fois que j'ouvrais fermais mon pseudo quoi faire ?