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L'électronique dite "nomade" qui a envahi notre quotidien dépend de manière cruciale des composants qui conservent les données quand l'appareil est éteint. Ce sont des mémoires dites "non volatiles". Aujourd'hui, il existe trois grandes familles de ce type de mémoires : les mémoires magnétiques, les plus consommatrices d'énergie, les mémoires flash, pour lesquelles les temps d'écriture et de lecture sont plus longs, enfin les mémoires ferroélectriques, les plus ...

Bonjour,

"...enfin les mémoires ferroélectriques, les plus rapides, mais avec lesquelles les informations stockées sont détruites lors de la lecture."
"marier deux phénomènes physiques, la ferroélectricité et l'effet tunnel montrant ainsi la faisabilité d'un nouveau type de mémoire ferroélectrique, dont la lecture ne détruirait pas le contenu."


L'effet tunnel permet donc une réécriture instantanée des informations sur la mémoire vive et temporaire ferroélectrique.
En effet, la mémoire magnétique MRAM ainsi que les capteurs de disques durs fonctionnent actuellement sur la base de ce principe. Mais pourquoi n'y avait-on pas pensé avant, puisque la magnétorésistance à effet tunnel fut découverte depuis 1975 par Michel Jullière, et dont l'utilisation de cet effet à la température ambiante fut réalisée en 1995?

Vous avez déjà publié un autre article sur ce sujet il y a 2 mois...
Ceci étant, il s'agit d'une découverte tout à fait intéressante !

c'est l'été
vlà les redifs......

Des Ipod nanos moins chers avec plus de mémoires, et avec plus d'autonomie