[News] Percée dans le stockage d'informations : l'écriture de données par champ électrique

L'étude des phénomènes naturels...

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Adrien
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[News] Percée dans le stockage d'informations : l'écriture de données par champ électrique

Message par Adrien » 08/11/2010 - 0:00:33

Des chercheurs de l'Institut allemand de technologie de Karlsruhe (KIT) sont parvenus pour la première fois à écrire, lire et enregistrer des informations à l'échelle nanométrique sous forme magnétique et à l'aide d'un champ électrique. Actuellement, les technologies les plus courantes d'enregistrement de données sur un disque dur consistent à lire et écrire des informations à l'aide d'un champ magnétique. L'unité d'information sur le disque dur, un bit, doit avoir des dimensions aussi réduites que possibles, afin d'augmenter la capacité du support de stockage. L'écriture par champ magnétique rencontre cependant des limites intrinsèques de miniaturisation, ce qui incite ...
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GTLv97.6
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Re: [News] Percée dans le stockage d'informations : l'écriture de données par champ électrique

Message par GTLv97.6 » 08/11/2010 - 0:55:01

Petit imprécision ici:

surfaces métalliques et de fournir le champ magnétique extrêmement intense nécessaire, d'une tension d'un milliard de Volts par mètre.


cela devrait être un champ électrique si c'est de V/m ^__^

Sinon c'est une bien bonne nouvelle je me réjouis de voir le transfert technologique et les applications d'ici quelques temps.

G

yarma22
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Re: [News] Percée dans le stockage d'informations : l'écriture de données par champ électrique

Message par yarma22 » 08/11/2010 - 1:08:37

"Un milliard de Volts par mètre" pour écrire un bit de 2 nanomètres carrés ?! Donc pour écrire 1 Go de données va falloir monopoliser une centrale nucléaire pendant 1 semaine ? :D
Je ne connais pas du tout les ordres de grandeur mais j'imagine mal une mémoire de ce genre dans un téléphone portable...

DouziemeCase
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Re: [News] Percée dans le stockage d'informations : l'écriture de données par champ électrique

Message par DouziemeCase » 08/11/2010 - 7:32:45

1 milliards de volts par mètre, ce n'est rien d'autre qu' 1 volt par micron : vu les ordres de grandeur des longueurs en jeu, on arrive dans du raisonnable ...

http://www.wolframalpha.com/input/?i=1+MV%2Fm

Quand au champ "magnétique" en MV/m, il n'existait tout simplement pas dans le communiqué initial : "extrem hohe elektrische Feld". Même pour ceux qui ne parle pas allemand, c'est bien "elektrische", pas "magnetische". Une petit correction, gens de Techno-Sciences ?

http://idw-online.de/pages/en/news394555

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buck
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Re: [News] Percée dans le stockage d'informations : l'écriture de données par champ électrique

Message par buck » 08/11/2010 - 9:28:09

1000V/µm et ca commence a faire bcp a 1V/µm
"Le soleil, avec toutes ces planetes qui gravitent sous sa gouverne, prend encore le temps de murir une grappe de raisin, comme s'il n'y avait rien de plus important. " Galilee

decop
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Re: [News] Percée dans le stockage d'informations : l'écriture de données par champ électrique

Message par decop » 08/11/2010 - 10:01:46

Hello !
J'arrive à concevoir qu'on puisse 'manipuler' un atome sous un microscope électronique, mais, dans ce cas, j'aimerai savoir comment on arrive à piloter le bras de lecture des HDD sans qu'il se trompe d'atome / piste du disque ?
Bonne recherche !

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QJ
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Re: [News] Percée dans le stockage d'informations : l'écriture de données par champ électrique

Message par QJ » 08/11/2010 - 11:30:22

decop a écrit :Hello !
J'arrive à concevoir qu'on puisse 'manipuler' un atome sous un microscope électronique, mais, dans ce cas, j'aimerai savoir comment on arrive à piloter le bras de lecture des HDD sans qu'il se trompe d'atome / piste du disque ?
Bonne recherche !

C'est très simple, il n'y plus de mécanique, mais un ensemble complexe de têtes de lecture/écriture répartie sur l'ensemble de la surface. Bref, on en vient à un système sans mécanique à l'instar des disques SSD.
L'esprit c'est comme un parachute: s'il reste fermé, on s'écrase. -Franck Vincent Zappa-

DouziemeCase
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Re: [News] Percée dans le stockage d'informations : l'écriture de données par champ électrique

Message par DouziemeCase » 08/11/2010 - 12:53:25

Oups ! Pas réveillé, j'étais ... oui, 1 milliard de V/m ... en même temps, quelle idée d'écrire en toutes lettres un chiffre dans un communiqué technologique ... :grat:

Bon, reprenons avec les ordres de grandeur : 1e9 V/m sur 10 nm, ça fait une tension de 10 V, pas besoin d'utiliser une centrale entière rien que pour ça ! Non, l'intensité du champ électrique est obtenue par la distance extrêmement faible autorisée par le microscope à effet tunnel.

Du coup ... pourquoi ce champ ne provoque-t-il pas de "claquage" (si ce terme a encore un sens à cette échelle où la méca q règne en maître) ? :grat:

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