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La course ne fait pas les manchettes. Pourtant, Hassan Maher, professeur de génie électrique et génie informatique à l’Université de Sherbrooke (UdeS), en parle avec passion. Dans l’industrie des semi-conducteurs, un matériau émergent, le nitrure de gallium (GaN), suscite de nombreux espoirs. Performant, très robuste, le GaN résiste à de fortes chaleurs et permet le passage d’une grande puissance électrique. L’UdeS est la première université au Canada pour le développeme...

Bah comme l'AsGa, l'InP ca ne fait que 30 ans qu'on dit que c'est le materiau d'avenir ... Le graphene l'est plus de mon point de vue
Pour la puissance c'est indeniable, pour les ultra hautes frequences aussi, le spatial idem, pour le reste non...
Pour la combinaison avec le silicium, ce n'est pas tres complique, ca depend de leur substart, mais si c'est de l'ordre de 2-3µm, du SOI, SOC fera l'affaire avec des caisson grave poru y deposer leur materiaux... Au pire on fait de la 3D ... (il font leur circuit, puis on connecte les sorites entree par bonding sur le silicium, faisable et deja existant

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L'AsGa je l'ai mesuré en conductivité thermique à 50mK au début des années 80, il est très long a se mettre en température.
Ce qui est recherché avec le AsN c'est de pourvoir le fabriquer à un prix compétitif avec les infrastructures existantes.