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L'électronique de la conversion de l'énergie fait un pas en avant grâce au Leti, institut de CEA Tech, qui vient de produire un transistor GaN capable de convertir des tensions jusqu'à 650 volts. Pour la majorité des usages, l'énergie électrique doit être convertie en tension et en courant utilisables par l’objet à recharger (téléphone, mais aussi voiture électrique, etc) au moyen d’un transformateur. Or, cette conversion occasionne des pertes plus ou moins importantes, que l...

Au lycée, quand je m'intéressais à l'électronique, cela m'avait conduite à me poser quelques questions de chimie.
En effet : à l'époque les transistors utilisaient la technologie TTL, à base de silicium dopé au phosphore et à l'aluminium pour y créer des "trous" et des "charges".
Sur le tableau de classification, Al et P encadrent Si.
Héhéhé... sur la ligne du dessous, ce sont Ga et As qui encadrent Ge et je me rappelais que les antiques postes à galène de mon enfance - donc au PbS - avaient été remplacés par des postes à cristal de germanium.
On devrait donc peut-être s'intéresser à des semi-conducteurs à base de germanium, dopé au gallium et à l'arsenic, me disais-je, ce qui se faisait en réalité déjà dans les labos, ce fut la technologie CMos avec l'arséniure de gallium.

Cela me donna une autre idée : et sur la ligne du dessus ? Il doit bien y avoir des lascars qui gambergent, entre B et N qui encadrent C, mais le carbone n'est pas le silicium... donc je me disais que doper un substrat de silicium avec un élément du dessus et un du dessous, par exemple bore + arsenic ou azote + gallium... tilt ! Remplacer l'arséniure de gallium par du nitrure de gallium pouvait éventuellement constituer une piste à suivre.
D'autres eurent aussi cette idée, évidemment, et je suis bien contente de constater que la recherche progresse dans ce secteur-là, comme quoi on n'a pas que des idées débiles quand on est une brèle en chimie.
Cela m'a donné soif.

Bore, phosphore, arsenic et indium sont des dopants pour le silicium permettant d;avoir des zones a majorite d'electrons et d'autres a trous
Germanium peut etre implante dans le silicium ou faire parti du silicium (dans un cas tu tires au tromblon dans le silicium avec du germanium, das l'autre tu as un cristal) les fonctions electriques optiques et mecaniques different ( gap, capteur IR, grille stressee ...)
Le germanium etait utilise au depart (manque de purete du silicium, plus facile a utiliser) puis a disparut et est revenu ces 10 dernieres annees pour les techno sub 100nm jusqu'aux FinFET (jusqu'a 32nm)
Ensuite on a les materiaux III/V comme AsGa, AsGaAl, InP ... ou on joue sur la taille des cristaux et leur orientation pour avoir un semiconducteur. Interet: optoelectronique: tres hautes frequences, guides d'ondes, traitement des flux lumineux
On a les GaN et SiC pour l'electronique de puissance
L'azote est utilise avec le silicium comme couche de passivation et eviter a l'humidite d'aller au contact du silicium et l'oxider

Et la on ne parle pas de l'electronique moleculaire ni les graphenes, nanotubes (plutot utilise comme elements conducteur=fils dans les dernieres generations)

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Les premiers transistors étaient au germanium avec un sacré défaut, il fonctionnaient à faible fréquences.