[News] Nouvelle modélisation de la mémoire magnétique
Publié : 24/04/2019 - 14:00:17
Des chercheurs du laboratoire Spintec de notre institut travaillent sur les MRAM. Dans cette étude, ils proposent d’intégrer l’effet Joule au modèle macrospin afin de le rendre applicable à toute sorte de nano-piliers et plus facilement intégrable dans des outils de conception de microélectronique.
Les mémoires magnétiques à accès aléatoire (MRAM) sont des dispositifs spintroniques alliant la non-volatilité (conserve ses données en l'absence d'alimentation électrique), la ra...