[News] Les mémoires magnétiques s’invitent dans les process de la microélectronique
Publié : 01/10/2019 - 8:00:14
L'intégration des mémoires magnétiques MRAM de dernière génération aux technologies micro-électroniques sub-28 nm requiert une résistance à la température au-delà de 400°C. Des chercheurs de l'Irig montrent qu'un ajout de tungstène porte cette limite de 400°C à 450°C.
Au coeur de mémoires magnétiques MRAM (Magnetic Random Access Memory) se trouve une jonction tunnel magnétique « perpendiculaire », dont des chercheurs de l'Irig sont des experts.
Cette jonction, compos...