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La mémoire magnétique Spin-Orbit Torque (SOT-MRAM) est la seule technologie de mémoire non volatile assez rapide pour être utilisée au plus près de l'unité de calcul en remplacement de mémoires de type SRAM, de façon à augmenter les performances des circuits électroniques tout en diminuant fortement leur consommation énergétique. Cependant, dans le cas de SOT-MRAM, où l'aimantation est dite perpendiculaire, il a été montré que la probabilité d'écriture peut s'effondrer voir...