[News] Des ondes de choc dans des mémoires électroniques non-volatiles
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Redbran
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[News] Des ondes de choc dans des mémoires électroniques non-volatiles
La migration rapide des « lacunes » d’oxygène dans des oxydes de métaux placés sous un champ électrique explique la forte variation de résistivité de ces matériaux. Les chercheurs à l’origine de ce résultat ont pour la première fois modélisé cette migration par une onde de choc.
Avec le développement massif des données numériques, les physiciens s’intéressent à des matériaux alternatifs au silicium, brique élémentaire des mémoires non-volatiles actuelles, telles q...