[News] Les mémoires magnétiques s’invitent dans les process de la microélectronique

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[News] Les mémoires magnétiques s’invitent dans les process de la microélectronique

Message par Adrien » 01/10/2019 - 8:00:14

CEA L'intégration des mémoires magnétiques MRAM de dernière génération aux technologies micro-électroniques sub-28 nm requiert une résistance à la température au-delà de 400°C. Des chercheurs de l'Irig montrent qu'un ajout de tungstène porte cette limite de 400°C à 450°C. Au coeur ...
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