[News] Moduler l’ordre cristallin du silicium : vers de nouveaux semi-conducteurs

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[News] Moduler l’ordre cristallin du silicium : vers de nouveaux semi-conducteurs

Message par Adrien » 04/05/2020 - 9:00:08

Une collaboration impliquant l'Iramis-Cimap et la Direction des énergies du CEA montre qu'il est possible de modifier de manière contrôlée l'ordre cristallin du silicium, en combinant une irradiation par faisceaux d'ions basse et haute énergies. Une nouvelle piste pour façonner des semi-conducteurs ! L'irradiation de matériaux par faisceau d'ions accélérés est largement utilisée pour élaborer des nanostructures et doper des semi-conducteurs. À très basse énergie, les faisceaux d'ions de la FIB (Focused Ion Beam) permettent de pulvériser la matière. Jusqu'à quelques MeV, les ions perdent leur énergie par collision avec les atomes de la cible, provoquant la formatio...
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