Investigadores han descubierto recientemente un mecanismo por el cual un haz de láser focalizado puede modificar el estado magnético de un material sólido. Este avance podría revolucionar las memorias informáticas ultrarrápidas.
Los científicos han formulado una nueva ecuación que describe la relación entre la amplitud del campo magnético de la luz, su frecuencia y las propiedades de absorción de energía de un material magnético.
Los investigadores publicaron sus resultados en la revista Physical Review Research, presentando una ecuación inédita que conecta la amplitud del campo magnético de la luz con su frecuencia y las propiedades de absorción de energía del material magnético. Esta ecuación abre puertas a nuevas aplicaciones en magneto-óptica, una área hasta ahora poco comprendida, donde el componente magnético de una onda de luz que oscila rápidamente puede controlar imanes.
En informática, la memoria utiliza electroimanes miniaturizados activados por tensión para almacenar datos, que luego se leen como estados binarios "encendido" o "apagado". La memoria RAM dinámica, común en dispositivos móviles, pierde toda su información una vez apagada.
Sin embargo, este nuevo descubrimiento es más relevante para una tecnología denominada memoria magnetorresistiva (MRAM), empleada principalmente en la aeroespacial, así como en aplicaciones militares e industriales. A diferencia de la memoria RAM, la MRAM no pierde sus datos al apagarse y podría ser optimizada para un rendimiento mejorado gracias a esta investigación.
La interacción entre un material magnético y la radiación cuando no están en equilibrio también representa una frontera que toca las extrañas leyes de la mecánica cuántica. La nueva ecuación permitiría contemplar la grabación magnética óptica y avanzar hacia dispositivos de almacenamiento magnético óptico densos, energéticamente eficientes y rentables, que todavía no existen.
Esta tecnología podría eventualmente llevar a componentes de MRAM mucho más rápidos y eficientes que las memorias actuales, utilizando duraciones de ciclo óptico que podrían ser un millón de veces más rápidas que las de las memorias convencionales.