[News] Des nano mémoires non volatiles 1 000 fois plus rapides

L'étude des phénomènes naturels...

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Michel
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[News] Des nano mémoires non volatiles 1 000 fois plus rapides

Message par Michel » 21/09/2007 - 0:00:31

Des scientifiques de l'université de Pennsylvanie ont développé des nanofils capables de stocker des données informatiques pendant 100 000 ans et d’accéder à ces données mille fois plus rapidement qu’avec les actuels mémoires Flash ou micro drives, pour un encombrement moindre et une plus faible consommation. Ritesh Agarwal et ses collègues ont élaboré un nanofil de tellurure d'antimoine et de germanium, un matériau à changement de phase capable de basculer entre deux états...

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lincruste
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Message par lincruste » 21/09/2007 - 1:04:13

un matériau à changement de phase capable de basculer entre deux états stables

Bonsoir,
Cela veut dire que ce basculement est réversible? Autrement dit, la réécriture est-elle possible avec ce matériau?

edit: Dans les deux cas, 100 000 ans, c'est impressionant. Peut-être même plus long que notre espèce si on continue à déconner.

Damien1
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Message par Damien1 » 21/09/2007 - 7:32:25

lincruste a écrit :
un matériau à changement de phase capable de basculer entre deux états stables

Bonsoir,
Cela veut dire que ce basculement est réversible? Autrement dit, la réécriture est-elle possible avec ce matériau?

edit: Dans les deux cas, 100 000 ans, c'est impressionant. Peut-être même plus long que notre espèce si on continue à déconner.

C'est de la mémoire vive ! Par définition, la réécriture est possible forcément ...
En tout cas, bravo pour cette innovation, ça va donner un coup de fouet à l'évolution du hardware en informatique.

JuLieN
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Message par JuLieN » 21/09/2007 - 8:01:39

Ca c'est la nouvelle technologique la plus impressionnante depuis des mois! Mais où s'arrêteront-ils? :houla: Et c'est un gros consommateur de mémoire flash qui parle. :D

@Michel
"Bufférisation"? Heu... "Mise en mémoire tampon", "préchargement", c'est un chouilla plus de chez nous, non? ;) Excellente actu à part ça.

PS: quand on a une suggestion linguistique, préfères-tu un MP (sinon j'ai un peu peur que ça puisse être perçu comme une prise à partie publique, ce qui n'est pas du tout l'objectif).

sonic
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Message par sonic » 21/09/2007 - 8:12:38

je suis pour le linchage public :D

pour sur, c'est impressionant ces chiffres...
mais est-ce que le coût de production sera adapté ? on parle de nanotechnologie...

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buck
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Message par buck » 21/09/2007 - 9:14:13

Damien1 a écrit :C'est de la mémoire vive ! Par définition, la réécriture est possible forcément ...
En tout cas, bravo pour cette innovation, ça va donner un coup de fouet à l'évolution du hardware en informatique.

non ca n'est pas de la memoire vive. La memoire vive c'est la memorie que tu as sur ton pc. Tu coupe le jus il n'y a plus de memoire
ici tu coupe le jus ca reste dans l'etat.
En tout cas vu les temps d'acces ca peut aussi servir en memoire vive.
Mazette je pleure moi avec mes memories (sonos) qui arrivent peniblement a un mois de retention, la 100000 ans mazette...

Une info qui manque c'est l'impact du nombre de cycles. Si les etats stables sont des etats mecaniques (memoire de forme) il doit y avoir des contraintes mecaniques qui entrent en ligne de compte. En gros on bascule tres souvent la memoire, et au vu des contraintes la capacite de retention de charge diminue.

sonic: t'inquiete qd l'industrie sera prete, les prix seront tres vite amortie et suivront les tendances actuelles des prix: cher au debut et cheap apres

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Maulus
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Message par Maulus » 21/09/2007 - 9:33:25

la fin des disques dur ? sa me ferait plaisir...
Ce n'est pas le moindre charme d'une théorie que d'être réfutable, F. Nietzsche.

http://www.cieletespaceradio.fr

adzo
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Message par adzo » 21/09/2007 - 9:59:39

Damien1 a écrit :En tout cas, bravo pour cette innovation, ça va donner un coup de fouet à l'évolution du hardware en informatique.


Pareil


buck a écrit : En gros on bascule tres souvent la memoire, et au vu des contraintes la capacite de retention de charge diminue.


ça veut dire qu'il y a moins de charge à mettre dans ces nanofils?
Mais je me pose une question avec la technologie toujours plus subtile actuelement.
Des perturbations électromagnétiques extérieures ne risquent-elles pas au bout d'un moment dans le développement de la technologie de faire perdre l'information si on continue à miniaturiser tout y compris les charges?

on en est à 0,7mW par bit ici, c'est super car ça consomme moins et donc ça chauffe moins mais n'y a-t-il aucun risque?
Sinon chapeau. :)

Ce sont tes chats maulus ? ils sont trop mignons ^^

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buck
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Message par buck » 21/09/2007 - 10:48:04

Non c'est que les fils ont moins la possibilite de prendre et garder les charges.
Comment expliquer autrement?
Je prend la comparaison avec un barrage.
Tu le construit, et tu garde de l'eau.
Tu le vite une fois , reremplie, tout va bien, il garde l'eau a perpette.
Or tu ajoute le facteur temps: ici on a creer un beton super hyper resistant, dc ton barrage va tenir tres longtemps:.
Maintenat imagine que tu le vide et rerempli tous les ans. Au bout d'un certain temps le beton subit des contraintes mecaniques de pression relachement sechage de l'eau sur le beton ... Ce qui fait qu'il se fragilise. Comme il se fragilise on le rempli moins pour le sauvegarder, et au fur et a mesure le barrage va se detruire, et tu ne pourra plus lui faire stocker de l'eau.
Ici c'est assez pareil

pour les pertubrations: ca depend du materiau de la longueur des fils entre autre (aussi du substrat, et des interconnexions)
A ce que je sais il n'y a pas trp de pertubation meme pour les dispositifs mono electrons. Le principal soucis vient des interco ou la longueur des fils fait qu'ils deviennent des antennes.
Je sais qu"'il y a des solutions pour les limiter, mais je ne sais pas lesquelles hormis une cage a faraday

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Michel
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Message par Michel » 21/09/2007 - 11:22:33

JuLieN : tout à fait d'accord, "bufférisation" n'existe pas. :jap:

sonic a écrit :je suis pour le linchage public :D

Regardez tout le monde : sonic ne sait pas écrire "lynchage" ! ouuuuh ! ouuuuh ! :lol:
;)

lincruste a écrit :Bonsoir,
Cela veut dire que ce basculement est réversible? Autrement dit, la réécriture est-elle possible avec ce matériau?

oui

sonic
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Message par sonic » 21/09/2007 - 12:00:05

:grilled: :D

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Message par buck » 21/09/2007 - 13:22:52

Michel a écrit :JuLieN : tout à fait d'accord, "bufférisation" n'existe pas. :jap:

ca n'existe pas mais ca s'utilise :)

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lincruste
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Message par lincruste » 21/09/2007 - 15:14:49

Michel a écrit :
lincruste a écrit :Bonsoir,
Cela veut dire que ce basculement est réversible? Autrement dit, la réécriture est-elle possible avec ce matériau?

oui

Merci

DotSlash
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Message par DotSlash » 21/09/2007 - 17:07:19

Bonjour a tous,

Je me permet quelques remarques concernant l'article:

Deja un chiffre me fait tilter: 0.7mW/bit il doit certainement s'agir d'une faute de frappe ou de recopie; 0.7mW/bit donne pour une barrette de 1Go (ce qui est en passe de devenir la norme pour de la RAM, pour de la memoire morte on atteint les 250Go pour une machine standard) une puissance de 6.012MW (oui MegaWatt) pour ecrire sur toute la barrette :heink:

Ensuite les temps d'acces 1000 fois plus rapide...par rapport a quoi? dans quelle conditions?

Je prend par exemple une memoire NANDflash Samsung K9K8G08U1A-I, en gros les puces flash de clé usb, lecteur mp3 jusque 1Go. Elle est donnée pour 200µs en ecriture par page de 2Ko, 25µs en lecture de page aleatoire et 25ns en lecture "serie" (autoincrementation de l'adresse du bloc lors d'une lecture page apres page). Quelle est la donnée de référence?

Maintenant la durée de rétention, honnetement n'est interressante que pour des apply specifiques de stockage, un disque dur est a 5 ans de retention, une flash 10 ans, un CD donné pour 100 ans (non prouvé), mais il s'agit d'une durée sans utilisation ni rafraishissement; réécrire dessus remet a zero la retention. Il est donc hasardeux de parler de "conserver les données sur une période d'utilisation d’approximativement 100 000 ans". Même remarque: quel protocole de test permet d'affirmer cette durée? Par contre il n'est pas spécifié le nombre de cycles d'ecritures qui est une donnée importante pour la durée de vie (typiquement 100 000 pour la NAND flash précédente).

Concernant la capacité, idem quelle est la surface de silicium de référence?

Ce n'est pas pour démolir l'article qui a pour but d'informer les gens, mais même lorsqu'il s'agit de vulgarisation scientifique il faut être précis dans les termes et unités c'est le minimum! Certains chercheurs et équipes américaines ont une tendance à "arrondir les coins" en présentant des chiffres énormes, ou des résultats spectaculaires. Je l'ai vérifié lors d'un stage de recherche qui consistait à reproduire et valider une publication américaine sur le relevé d'empreintes digitales par polarimetrie; où nos résultats coincidaient avec la publi à condition d'accentuer certains paramètres donc en gros en trichant un peu. Ca reste vrai mais dans des conditions optimales.

Tout ca pour dire de ne pas accepter ce que l'on annonce pour vérité absolue, mais ca vous devez le savoir :)

Cordialement,

JBS

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cisou9
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Message par cisou9 » 21/09/2007 - 18:13:04

Effectivement 0.7mW bit cela m'avait paru gros donc pour un Go 700KW un sacré radiateur, a n'utiliser que l'hiver.
Il y a un bug quelque part . :lol:
Un homme est heureux tant qu'il décide de l'être et nul ne peux l'en empêcher.
Alexandre Soljenitsyne.

DotSlash
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Message par DotSlash » 21/09/2007 - 18:31:21

700kW pour 1 G..bit :D

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Michel
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Message par Michel » 21/09/2007 - 19:15:01

Les bits ne sont pas écrits simultanément :fada:

pour la conso c'est bien cela et c'est tres faible, c'est une puissance instantannée.

en joules cela donne : 0,7 mW/bit * 1 bit * 50 ns = 0,035 nanojoules
écrire 1 bit ne demande que très peu d'énergie !

Pour ecrire 1 Go :

0,035 nJ * 8 * (1024)puissance3 = 0,3 J

en gros donc, l'écriture de 3 Go ne demande qu' 1 J !!!

Je vous laisse convertir en kWh (1 kWh = 3 600 000 J) ;)

DotSlash
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Message par DotSlash » 21/09/2007 - 23:51:41

Oui mea culpa je sais bien qu'on ecrit pas la barrette d'un coup mais bon 0.7mW/bit me parait enorme par rapport a la taille du tube

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Michel
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Message par Michel » 22/09/2007 - 11:49:29

Quelques courbes accompagnant la publication sont dispo dans ce pdf :

lien

(je n'ai pas regardé en détail, je ne sais pas si ça peut aider ;) )

Xzander
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Message par Xzander » 22/09/2007 - 16:41:36

Bien dit Michel.

Michel a écrit :Les bits ne sont pas écrits simultanément


DotSlash, n'oublie pas quelque chose: une capacité de rétention de 100000 ans ne signifie pas nécessairement que l'on veut stocker 100000 ans. Cela signifie que la probabilité de corruption d'un bit est dramatiquement réduite. Même avec une mémoire RAM traditionnelle, si on réécrit, il peut arriver, exceptionnellement mais quand même, qu'un bit change d'état avant la réécriture. Or avec une mémoire ayant une beaucoup plus grande capacité de rétention, cette possibilité exceptionnelle est d'autant plus réduite. Cela peut être particulièrement important pour les applications critiques (défense, économie, hôpitaux, etc). Cela permet donc d'augmenter la fiabilité d'un système. Bien entendu, ce n'est pas le seul maillon, mais l'amélioration d'un seul a toujours un impact sur le résultat final. Autrement, on peut aussi tirer avantage de la capacité de rétention en faisant une réécriture moins fréquente, ce qui implique de verrouiller moins souvent la mémoire, donc de faciliter l'accès à cette dernière.

jpw
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vitesse faible, en réalité

Message par jpw » 22/09/2007 - 18:41:32

Contrairement à ce qui est exprimé, 50 nanosecondes pour écrire un bit, c'est très médiocre. 20 mégabits/s, c'est plus lent que la quasi totalité des supports actuels.

Mais je pense qu'en réalité Michel confond le temps d'accès et le temps d'écriture d'un bit. Auquel cas, la consommation et le débit de ce dispositif restent inconnus. Tout comme est d'ailleurs inconnue la nature de cet extraordinaire test qui permettrait de prédire une durée de vie de 100 000 ans. Tout comme d'ailleurs le procédé permettant la lecture/écriture.

Bref, les chercheurs qui sont à l'origine de cette info semblent avoir voulu exploiter le gout des médias pour le sensationnel, en comptant sur la légèreté de leur bon sens critique.

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buck
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Message par buck » 22/09/2007 - 19:42:25

Pour la duree de vie regarde le lien mis par michel, pas besoin d'attendre 10 ans pour etre assez sur de ce chiffre (au pire c'est un mois de mesures).

50nsec c'est le temps d'ecriture et c'est tres rapide. seules les memoires volatile sont plus rapides.

jpw
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un peu de sérieux, siouplait

Message par jpw » 23/09/2007 - 20:20:42

même un graveur de cd-rom a besoin de moins de 50 nanosecondes par bit gravé (aviez vous fait le calcul?)

quant aux prétentions aux 100 000 ans ca ne peut pas être autre chose que de la foutaise. Existe aujourd'hui un seul producteur d'alliage qui garantisse une durée de vie de 100 000 ans pour son produit?

DotSlash
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Message par DotSlash » 23/09/2007 - 21:23:23

Voici le lien de l'article original:

http://www.upenn.edu/pennnews/article.php?id=1217

Pour la conso, j'ai galéré mais je pense qu'au final, dans le cas d'une apply flash 8bit, ca donne 8*0.7mW soit 22mW. A cela il faut rajouter la conso des peripheriques gerant la flash (buffers, generateur d'adresses, registres, controle) qui eux sont en techno silicium classique, donc quelques mW supplémentaires, la puce samsung fait 50mW...donc pour la faible conso faudra repasser.

J'ai envoyé un mail au "Science News Officer" qui redige ces articles, en demandant si il n'y avait pas une erreur.

Réponse:
"You are not the first to point this out and I am sure somewhere in translation, a typo was made. I have forwarded your question on to the principal investigator and expect an answer shortly. I’ll forward the reply along."

Pour les 50ns, d'apres l'article il s'agit d'un temps de ecriture+effacement+lecture donc forcement plus rapide...mais on ne donne jamais ce genre de données sous cette forme...

@Xzander: Peux-tu developper le phenomene que tu decris? Dans l'article tout est bien présenté comme une durée de retention...

Les courbes sur Nature sont interessantes mais franchement ya un fossé entre la publi et ce que laisse penser l'article, comme quoi il faut vraiment lire entre les lignes et recouper les données!

jpw
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Message par jpw » 24/09/2007 - 1:42:04

Il suffit de regarder l'article de Nature (le pdf donné par Michel supra) pour remarquer que, comme par hasard, il n'y a plus aucun résultat extraordinaire:

in figure 2: "The crystalline to amorhpous phase transition was induced by 100 ns pulses while the recrystallization was induced by 300 ns pulses. " (la vitesse de lecture écriture s'avère donc être 2 ou 6 fois plus faible qu'un cd-rom en écriture)

in figure 3 : "extrapolation of the data shows that the device and has an impressive data retention capability of ~3 years at 80C." (extrapolé à partir de quelques heures d'observation de la recrystallisation spontanée. Aucune étude de la dégradation de l'alliage lui même! ils semblent avoir eu un trou de mémoire ;=) au moment de se vanter des 100 000 ans )

Quant aux 50 ns , ils sont donc le temps d'accès. Foutaise, puisque ce temps d'accès dépendra du dispositif d'adressage qui n'existe pas encore, pour autant que l'on sache.

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