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Cette technologie permet une augmentation significative de la vitesse des microprocesseurs (de l'ordre de 24%) grâce à un étirement du silicium contenu dans les puces, tout en gardant une consommation énergétique constante. Cet étirement optimise la distance entre les atomes de silicium, ce qui entraîne une diminution des interférences.
La technologie "Strained Silicon" sera progressivement intégrée dans la fabrication des processeurs AMD qui possèdent une finesse de gravure de 90 nanomètres. Les processeurs dual core (à double cœur) qui seront commercialisés en 2005 l'intégreront également.
A noter qu'IBM utilise déjà le "Strained Silicon" pour ses processeurs Power PC, qui équipent notamment les puces G5 des ordinateurs d'Apple. Intel utilise également une technologie similaire pour ses Pentium 4E (ou Prescott), mais plus ancienne et moins efficace. Intel a fait savoir qu'il compte faire évoluer sa technologie pour la rendre plus efficace que celle d'AMD, avec une augmentation de vitesse de l'ordre de 30%.