Technologie "Strained Silicon" dans les prochains processeurs d'AMD

Publié par Adrien,
Autres langues:
Restez toujours informé: suivez-nous sur Google Actualités (icone ☆)

Selon un responsable d'AMD, le fondeur utilisera pour ses prochains processeurs gravés en 0.09 micron (dont les Athlon 64 Mobile) ainsi que pour les processeurs en 0.13 micron lancés ce trimestre la technologie du "Strained Silicon".



La technologie "Strained Silicon" est déjà utilisée par Intel (pentium 4 E) et IBM. Elle permet une augmentation de la vitesse des microprocesseurs de 20% à finesse de gravure égale. C'est par l'optimisation des distances entre les atomes de silicium au niveau des transistors, ce qui minimise les interférences, que cette prouesse est possible.

AMD a précisé que son intégration du "Strained Silicon" est différente de celle de ses concurrents. Le fondeur utilisera cette technologie de manière localisée, n'affectant que certaines parties de la puce.

Source: Cnet
Page générée en 0.460 seconde(s) - site hébergé chez Contabo
Ce site fait l'objet d'une déclaration à la CNIL sous le numéro de dossier 1037632
A propos - Informations légales
Version anglaise | Version allemande | Version espagnole | Version portugaise