Ces transistors empilables font 3 atomes d'épaisseur: technologie de rupture pour l'informatique ?

Avez-vous déjà rêvé de voir des ordinateurs considérablement plus rapides et puissants ? Des chercheurs du MIT viennent de faire un pas de géant dans cette direction en développant une méthode pour "faire pousser" des transistors ultrafins.


Les transistors en matériaux 2D ont une épaisseur d'environ trois atomes, ce qui permet de les empiler pour créer des puces plus puissantes. Cependant, leur fabrication représente un défi majeur. Traditionnellement, la croissance de ces matériaux nécessite des températures d'environ 600 degrés Celsius, alors que les transistors et circuits en silicium se dégradent au-delà de 400 degrés.

Les chercheurs du MIT ont mis au point un procédé à basse température qui permet d'intégrer directement des transistors en matériaux 2D sur des circuits en silicium sans les endommager. Ils ont réussi à faire pousser une couche de matériaux 2D de type disulfure de molybdène sur une plaque de silicium (CMOS wafer) de 20 centimètres en moins d'une heure, alors que les méthodes précédentes prenaient plus d'une journée. Cette avancée rend la technologie plus adaptée aux applications commerciales, où des wafers de 20 centimètres ou plus sont essentielles.

L'équipe de recherche souhaite à présent affiner sa technique pour empiler plusieurs couches de transistors 2D. De plus, ils veulent explorer l'utilisation de leur procédé à basse température pour des surfaces flexibles, telles que des polymères, des textiles ou même du papier, permettant l'intégration de semi-conducteurs sur des objets du quotidien comme les vêtements ou les cahiers.

La méthode a été développée par Jiadi Zhu, étudiant en génie électrique et informatique, en collaboration avec d'autres chercheurs du MIT, du MIT Lincoln Laboratory, du Oak Ridge National Laboratory et d'Ericsson Research. Les résultats ont été publiés dans la revue Nature Nanotechnology.