Les matériaux bidimensionnels – ces feuilles d'atomes d'une finesse extrême – sont considérés comme la prochaine grande avancée en électronique. Pourtant, une étude de l'Université de Vienne dévoile une limite à l'échelle atomique: un infime interstice qui, bien que quasiment invisible, pourrait ruiner les performances de nombreux candidats prometteurs.
Les transistors, ces interrupteurs électroniques à la base de toute notre électronique et en particulier des microprocesseurs, reposent sur un matériau semiconducteur commandé par une électrode. Pour miniaturiser davantage, l'isolant séparant ces deux éléments doit se réduire à un niveau extrêmement fin. Les chercheurs ont découvert un problème dans certaines combinaisons: le semiconducteur et l'isolant ne se touchent pas vraiment: un espace vide d'environ 0,14 nanomètre subsiste, affaiblissant le couplage capacitif et limitant la miniaturisation.
Le vide nanométrique entre le conducteur 2D et l'isolant modifie profondément les propriétés électroniques. Crédit: TU Wien
Ce problème vient des faibles forces de van der Waals qui doivent lier les couches entre elles, un phénomène d'électrodynamique quantique. Comme l'explique le professeur Tibor Grasser, cette force légère n'est pas suffisante pour maintenir les couches bien alignées, et laisse toujours un interstice, quelle que soit la qualité intrinsèque du matériau. La seule solution envisagée est de concevoir des matériaux "à fermeture éclair", où le semiconducteur et l'isolant s'emboîtent solidement, supprimant le vide.
Les scientifiques ont donc établi une méthode pour prédire quelles combinaisons éviteront ce piège. Pour le professeur Mahdi Pourfath, l'industrie doit dès le départ intégrer l'isolant dans la conception des futurs transistors, sous peine d'investir des milliards dans des voies sans issue. Cette recherche, publiée dans Science, redessine la carte des matériaux viables pour les puces de demain.
Forces de van der Waals: une colle atomique fragile
Les forces de van der Waals sont des interactions électromagnétiques faibles qui apparaissent entre atomes ou molécules proches. Contrairement aux liaisons chimiques fortes (comme les liaisons covalentes), elles ne nécessitent pas de partage d'électrons. Elles résultent de fluctuations temporaires de charge qui créent des dipôles magnétiques.
Dans les matériaux 2D comme le graphène, ces forces assurent la cohésion entre les couches. Leur intensité dépend de la distance: plus les couches sont proches, plus l'attraction est forte. Mais sur des surfaces non parfaitement lisses ou identiques, il subsiste un espace infime (environ 0,14 nm) qui réduit l'adhérence.
Cette faiblesse se dévoile lorsqu'on empile des couches de natures différentes, comme un conducteur 2D et un isolant. Les atomes des deux matériaux ne peuvent pas s'aligner parfaitement, et les forces de van der Waals ne suffisent pas à combler les interstices, créant des lacunes qui nuisent aux performances électroniques.