MRam, une nouvelle mémoire vive pilotée par un champ électrique

Publié par Adrien le 10/02/2010 à 00:00
Source: BE Allemagne numéro 469 (3/02/2010) - Ambassade de France en Allemagne / ADIT - http://www.bulletins-electroniques.com/ ... /62192.htm
Illustration: Wikipédia
Constitué de scientifiques de l'Université Paris-Sud, du CNRS, de l'entreprise Thalès et du centre de recherche Helmholtz de Berlin (HZB), un groupe franco-allemand de chercheurs vient de développer une nouvelle technologie pour les mémoires vives. Cette nouvelle technologie (Le mot technologie possède deux acceptions de fait :), appelée MRam pour "Magnetic Random Access Memory", utilise pour la première fois des champs électriques plutôt que des champs magnétiques pour stocker les informations. L'avantage est de taille car il permet de réduire la consommation d'énergie (Dans le sens commun l'énergie désigne tout ce qui permet d'effectuer un travail, fabriquer de la...) des mémoires internes de l'ordinateur (Un ordinateur est une machine dotée d'une unité de traitement lui permettant...).


Différents types de mémoire RAM

Les mémoires MRam sont constituées non pas d'éléments électriques, comme ses prédécesseurs, mais d'éléments spintroniques. L'exploitation de la charge (La charge utile (payload en anglais ; la charge payante) représente ce qui est effectivement...) de l'électron (L'électron est une particule élémentaire de la famille des leptons, et possèdant une charge...) est ainsi abandonnée, au profit de son spin (Le spin est une propriété quantique intrinsèque associée à chaque...). Il s'agit d'une propriété de symétrie (De manière générale le terme symétrie renvoie à l'existence, dans une...) intrinsèque décrite par la spintronique, une discipline qui ne cesse de se développer.

Dans le cas des MRam, c'est le phénomène de magnétorésistance à effet tunnel (L'effet tunnel désigne la propriété que possède un objet quantique de franchir...) (TMR) qui est utilisé. Ces mémoires MRam sont constituées de deux couches de matériaux (Un matériau est une matière d'origine naturelle ou artificielle que l'homme façonne pour en...) ferromagnétiques et d'un isolant (Un isolant est un matériau qui permet d'empêcher les échanges d'énergie entre deux systèmes....) ferroélectrique, le titanate de baryum (Le baryum est un élément chimique de symbole Ba et de numéro atomique 56.) (BaTiO3). L'équipe de chercheurs a montré qu'une couche d'un nanomètre d'épaisseur de titanate de baryum permettait d'orienter à volonté les spins des électrons sous l'action d'un champ électrique (En physique, on désigne par champ électrique un champ créé par des particules...). On sait que l'état de spin des électrons est lié à l'aimantation de zones dans le matériau (Un matériau est une matière d'origine naturelle ou artificielle que l'homme façonne...) ferromagnétique. Des cellules composées de cette façon enregistrent donc des bits d'informations, un pour chaque cellule.

Grâce à cette nouvelle méthode, les MRam ne nécessitent pas d'apport continuel en énergie pour le stockage des données (Dans les technologies de l'information (TI), une donnée est une description élémentaire, souvent...). Elles sont donc moins gourmandes en électricité (L’électricité est un phénomène physique dû aux différentes charges électriques de la...) et participent ainsi à la mouvance actuelle de réduction de la consommation des appareils informatiques, appelée Green IT.
Cet article vous a plu ? Vous souhaitez nous soutenir ? Partagez-le sur les réseaux sociaux avec vos amis et/ou commentez-le, ceci nous encouragera à publier davantage de sujets similaires !
Page générée en 0.225 seconde(s) - site hébergé chez Contabo
Ce site fait l'objet d'une déclaration à la CNIL sous le numéro de dossier 1037632
Ce site est édité par Techno-Science.net - A propos - Informations légales
Partenaire: HD-Numérique