Vers une mémoire à changement de phase "3D" pour les applications embarquées

Pour la première fois, une mémoire à changement de phase développée spécifiquement pour les applications embarquées a été co-intégrée avec un sélecteur de type "BackEnd". Cette avancée ouvre la voie à de nouvelles applications embarquées de ces mémoires pressenties pour remplacer les actuelles mémoires Flash.

La mémoire à changement de phase (Le mot phase peut avoir plusieurs significations, il employé dans plusieurs domaines et...) (ou mémoire PCM) est souvent considérée comme l'alternative la plus crédible à la mémoire Flash (La mémoire flash est une mémoire de masse à semi-conducteurs ré-inscriptible,...) pour sa haute vitesse (On distingue :) de programmation (La programmation dans le domaine informatique est l'ensemble des activités qui permettent...) et ses tensions de fonctionnement plus faibles. Elle occupe en outre moins de place d'un point (Graphie) de vue (La vue est le sens qui permet d'observer et d'analyser l'environnement par la réception et...) physique (La physique (du grec φυσις, la nature) est étymologiquement la...). Pour autant, ces mémoires sont pilotées par des transistors situés dans les couches inférieures de métallisation des circuits, dont la taille imposante devient un facteur limitant pour les nouvelles générations de puces. Les chercheurs du CEA-Leti ont remplacé le transistor par un dispositif plus petit, l'OTS (ou de l'anglais, dispositif "Ovonic Threshold Switching"), qui lui est associé en série. Cette solution ouvre la porte à l'empilement de plusieurs couches de mémoire à changement de phase en 3D, directement sur les circuits numériques.

Des industriels travaillent déjà avec ces points mémoires associant OTS et PCM, pour des applications de stockage déporté, un peu à l'image d'une clef (Au sens propre, la clef ou clé (les deux orthographes sont correctes) est un dispositif amovible...) USB. Mais les chercheurs du CEA-Leti viennent, pour la première fois, de réussir à co-intégrer ces points mémoire dans les niveaux de métallisation de fin de fabrication (de l'anglais "Back End of Line" ou "BEOL") qui surmontent une technologie (Le mot technologie possède deux acceptions de fait :) 28 nm. Ils ont, on outre, placé ces points mémoires dans les couches supérieures du circuit, leur évitant ainsi de subir des étapes de fabrication susceptibles de les endommager.

Cette co-intégration avec des éléments de calcul permettra d'envisager de répondre à la demande des nouvelles applications qui nécessitent en même temps de fiabilité (Un système est fiable lorsque la probabilité de remplir sa mission sur une durée...) et d'un échange de plus en plus rapide entre calcul et mémoire, comme les circuits neuromorphiques qui miment le comportement du cerveau (Le cerveau est le principal organe du système nerveux central des animaux. Le cerveau traite...) humain, la clé des véhicules autonomes du futur. Ces travaux prouvent à nouveau l'implication du CEA dans un domaine clé pour l'Europe (L’Europe est une région terrestre qui peut être considérée comme un...) pour garantir son primat dans le secteur de la microélectronique du domaine embarquée et automobile (Une automobile, ou voiture, est un véhicule terrestre se propulsant lui-même à l'aide d'un...).