"Smart Cut": la corrosion comme outil de coupe de précision dans le silicium

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Des scientifiques de l'Institut Fraunhofer de techniques de fabrication et de recherche appliquée sur les matériaux (IFAM) de Brême, de l'Institut Fraunhofer de mécanique des matériaux IWM de Fribourg-en-Brisgau (Bade-Wurtemberg), de l'Université de Brême, de l'Institut de technologie de Karlsruhe (KIT, Bade-Wurtemberg) et du King's College de Londres, réunis dans le projet de recherche européen ADGLASS, ont réussi pour la première fois, grâce à une nouvelle technique de simulation, à comprendre les principes de dynamique moléculaire du procédé de découpe "Smart Cut" : une corrosion sous contraintes (CSC) lente et progressive conduit à une séparation cristalline atomique de précision. Des couches cristallines avec une épaisseur d'environ 50 nm peuvent ainsi être séparées d'un wafer de silicium avec une précision atomique, après implantation de la surface du wafer avec un faisceau d'hydrogène puis chauffage.

L'industrie des semi-conducteurs applique ce procédé depuis quelques années, afin de constituer à l'aide de la technique du Smart Cut les structures de "silicium sur isolant" nécessaires pour le circuit électrique intégré. Les mécanismes mis en jeu dans le cristal de silicium lors de la "coupe fine" étaient jusqu'à présent inconnus. Ainsi les fabricants ne pouvaient optimiser la technique du Smart Cut que de façon empirique à l'aide de la méthode d'"essai et erreur".

Champ de contraintes mécaniques (rouge : tension, bleu : compression)
et détails de la réaction de corrosion sur un défaut induit par l’hydrogène dans le silicium cristallin

Après l'irradiation d'une surface de silicium par de l'hydrogène, des défauts se constituent sous la surface sous forme de régions nanométriques et discoïdes, constituées de liaisons dissociées de silicium. Lors du chauffage, ces défauts grandissent, se lient les uns aux autres et sectionnent finalement le silicium. Jusqu'à présent, les chercheurs supposaient que les atomes d'hydrogène s'infiltraient dans les défauts, formaient des molécules d'hydrogène et causaient une rupture du cristal sous la pression du gaz.

Le Dr. Gianpietro Moras du KIT dément cette hypothèse : "Si la pression du gaz était la cause de la rupture du cristal, cela conduirait à des surfaces dentelées et non pas aux surfaces extrêmement régulières se constituant lors du procédé technologique".

A présent, les chercheurs ont établi à l'aide de simulations en mécanique quantique, que la séparation cristalline se produit grâce à une CSC lente et progressive. Les molécules d'hydrogène formées à l'intérieur des défauts discoïdes réagissent avec les extrémités des liaisons silicium-silicium dilatées et entrainent la rupture des liaisons. Ainsi les défauts grandissent parallèlement à la surface du cristal et produisent des fêlures très lisses - en réalité lisses au niveau atomique - à l'intérieur du matériau. Ce n'est que lorsque le défaut devient assez grand (diamètre moyen d'environ 10 µm), que la pression de l'hydrogène affluant croît et conduit à la rupture du cristal cassant.

Alors que la CSC est habituellement considérée comme un phénomène catastrophique influençant fortement la sûreté et la durée de vie des infrastructures mécaniques, ces travaux montrent au contraire que ce procédé peut être mis en place pour la production de structures nanométriques. Ces constatations ouvrent de nouvelles perspectives dans l'optimisation de la technique du Smart-Cut, valable également pour d'autres matériaux covalents comme le germanium, le diamant et le carbure de silicium.

La CSC n'avait encore jamais été analysée avec une telle précision quantique dans des systèmes complexes de dimensions macroscopiques. Seul le développement d'une nouvelle technique de simulation hybride et quantique-classique - qui a eu lieu en partie dans le cadre du projet ADGLASS - a permis la percée.

Selon le coordinateur du consortium Colombi Ciacchi, "la compréhension détaillée de procédés de cette sorte n'a pas seulement des conséquences directes sur la technique du Smart-Cut, mais elle aidera aussi les ingénieurs et scientifiques à améliorer la résistance de nombreux matériaux et structures à haut risque de corrosion, comme par exemple le verre laminé, pour lequel les contraintes auxquelles sont soumises les différentes couches rendent le verre sensible à la corrosion par l'eau. En outre, des systèmes micro-électro-mécaniques (MEMS) en profiteront également, car ces minuscules machines sont souvent en contact avec des substances corrosives, comme des fluides biologiques".

L'abrasion d'éléments de construction en frottement et les procédés de fabrication comme l'usinage par enlèvement de copeaux microscopiques reposent aussi sur une combinaison de réactions chimiques et de contraintes mécaniques. Ces simulations ouvrent ainsi de toutes nouvelles perspectives de recherche.

Pour plus de précisions sur Smart Cut voir: http://www.soitec.com/fr/technologie/

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buck

Il me semblait que le nom de smart cut etait protege, par SOITEC dont le nom n'est pas site en plus ... meme si on fait mention du SOI.
Par contre ils parlent de decoupe du silicium, certe mais sur quel axe ? si c'est pour la decoupe plan a plan, c'est deja le procede de SOITEC , utilise et developpe depuis plus de 10 ans...
si c'est pour la decoupe ytpe de puce, donc dans l'epaisseur du materiaux ils ne sont pas sortis de l'auberge, l'epaisseur etant de 800µm

BE
benjihg

c'est bien la technique qui sert à faire des SOI et autres sandwichs de matériaux cristallins, mais on parle de comprendre la technique qui est utilisé depuis quelques années, c'est pas parce que ca marche qu'on sait pourquoi :p

le smart cut se réalise suivant un plan cristallin, pour la découpe de puce sur plusieurs centaines de µm, il faudrait pouvoir implanter l'hydrogène depuis la tranche, et la c'est pas gagné :p

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buck

Yep mais des 2002 au moins les gens de soitec essayaient de comprendre comment ca marche, mais sans passer par ces outils la. Ils passaient deja par l'identification du profil par simulation Monte Carlo, puis par la diffusion des profils de defauts cristallins et la generation des defaut etendus et leur croissance. Les modeles de diffusion tant chez Silvaco que chez Synospsys sont valables des 2004 (pas forcement avec l'hydrogene en place, mais au moins pour les defauts oui, j'ai bosse dessus).
Alors ok les gens de Fraunhofer and Co ont developpes des outils specifiques et nettement plus precis mais de la a dire qu'avant eux on ne savait rien j'ai un leger doute ;)

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StarDreamer

Je pense que les outils utilisés auparavant étaient basés sur des données empiriques génératrices d'abaques.

Avec la modélisation du phénomène, ces modèles empiriques pourront être affinés.

RO
Roroleblaireau

StarDreamer
Je pense que les outils utilisés auparavant étaient basés sur des données empiriques génératrices d'abaques.


Avec la modélisation du phénomène, ces modèles empiriques pourront être affinés.

L'équation qui affine l'empirique c'est de la fantaisie ! Le facteur qui ne sera jamais pris en compte dans un calcul (autrement qu'en y introduisant de l'empirique), c'est bien le réel, et toutes les imperfections qui le compose.

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buck

Roroleblaireau


StarDreamer
Je pense que les outils utilisés auparavant étaient basés sur des données empiriques génératrices d'abaques.


Avec la modélisation du phénomène, ces modèles empiriques pourront être affinés.


L'équation qui affine l'empirique c'est de la fantaisie ! Le facteur qui ne sera jamais pris en compte dans un calcul (autrement qu'en y introduisant de l'empirique), c'est bien le réel, et toutes les imperfections qui le compose.

tu nous fait du passant la ? ;) parce que bon la modelisation sert a approcher le reel, et dans certains cas est meme predictive
Star Dreamer: ce n'est pas trop empirique ce que j'ai mentionne ;) ca recupe pas mal de manip experimentales

RO
Roroleblaireau

buck
Ce n'est pas trop empirique [...] ca recupe pas mal de manip experimentales

Et toi tu nous fais du Van Damme ? Les données empiriques proviennent de manip expérimentales !

La modélisation sert effectivement à approcher le réel, alors que l'empirique observe le réel et s'en inspire.

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buck

s'en inspire :-D :D :D
L'empirique reprend les donnees experimentales et fourni en general des abaques, ou des modelisations assez grossieres.
La modelisation part de la physique pour modeliser le reel, les manip servant de validation et aussi d'ajustement du modele.
Plus on affine les donnees experimentales plus on peux pousser loin la modelisation.
Ici sur ce que j'ai parle: on part de simulation de type monte carlo pour simuler le trajet des ions et atomes d'hydrogene dans le silicium. Ces simulations sont basees sur les trajets des atomes en fonction des pouvoir stopant des atomes de silicium, plus le deplacement des atomes de silicium dans le maillage atomique (1 0 0 ou 1 1 1 en general)

Le deplacement des atomes de silicium donnent les zones de creations d'interstitiels et de lacunes dans le maillage atomique.

Ensuite la diffusion: le modele sur lequel j'ai bosse permet de suivre en temps reel le deplacement de tous les atomes en fonction de la temperature, atomes mais aussi les defauts atomiques. Ces regles de deplacement (base sur des loi d'Arrehenius) sont issu de simulations quantiques et aussi d'ajustement des coefficients (calibrage) sur des manip experimentales specifiques ou on genere certains type de repartitions d'atomes et on suit leur evolution dans le temps. Les manip ne servant qu'a posteriori pour valider les hypotheses