La consommation énergétique de mémoire DDR3 est de 40 % inférieure à celle de mémoire DDR2. Ceci est permis par une baisse de la tension utilisée, de 2,5 V sur la DDR à 1,8 V sur la DDR2 et 1,5 V sur la DDR3. La finesse de gravure de DDR3 n’excède pas 90 nanomètres ; cette technologie permet une réduction de l’utilisation du courant électrique et de la tension électrique de fonctionnement. De plus, des transistors à deux grilles (dual-gate) sont utilisés pour réduire la fuite de courant électrique.
La mémoire tampon de prélecture pour la DDR3 est d’une largeur de bus de 8 bits, alors qu’elle était de 4 bits pour la DDR2 et 2 bits pour la DDR.
Théoriquement, les barrettes de mémoire DDR3 peuvent transférer les données à un débit équivalent à plus de 10 Go/s. Une telle bande passante n’est réellement exploitée sur les architectures actuelles que dans le domaine graphique, pour lequel les transferts d’information entre mémoires d’image sont nécessaires.
La latence n’a pas été améliorée sur la DDR3 : les DDR3-1600 atteignent des timings de 7-7-7. En comparaison, les timings des meilleures DDR2-400 et DDR2-800 sont 2-2-2 et 3-3-3. S’agissant de cycle d’horloge, il faut se rapporter à la fréquence qui est ici double en DDR3 ; les timings sont donc très peu différents entre ces deux normes de mémoire.
La marque 40inches.com fut la première à lancer la commercialisation de ce type de barrettes en mai 2007 au Japon, soit deux ans après les premiers prototypes, alors que les premières cartes mères supportant la mémoire DDR3 apparurent au salon du Computex début juin 2007 à Taipei. Elles étaient basées sur le chipset P35 Express d’Intel.
La mémoire GDDR3 est quant à elle destinée au marché des cartes graphiques, et ne peut être assimilée à la DDR3.