William Shockley

William Shockley
Naissance	13 février 1910 Londres (Angleterre)
Décès	12 août 1989 ()
Nationalité	américaine
Champs	Physique
Célèbre pour	Invention du transistor
Distinctions	Prix Nobel de physique 1956

William Bradford Shockley (13 février 1910 – 12 août 1989) est un physicien américain. Sa tentative de commercialisation d'un nouveau type de transistor dans les années 1950 et 1960 fut directement à l'origine de la création de la Silicon Valley. Lui, John Bardeen et Walter Houser Brattain sont colauréats du prix Nobel de physique de 1956 « pour leurs recherches sur les semiconducteurs et leur découverte de l'effet transistor ».

Né à Londres en Angleterre, de parents américains, et ayant grandi en Californie, il obtint son B.S. au California Institute of Technology en 1932 et son doctorat au MIT en 1936. Notamment, le titre de sa thèse de doctorat était Calcul des fonctions d'onde électronique dans des cristaux de chlorure de sodium. Après avoir obtenu son doctorat, il rejoignit immédiatement un groupe de recherche dirigé par C. J. Davisson au Bell Labs dans le New Jersey, et commença à gravir les échelons hiérarchiques.

Après les années 1960, Shockley fut professeur à Stanford et devint également un fervent avocat de l'eugénisme. Ses vues sur les Noirs américains, qu'il jugeait héréditairement avoir un quotient intellectuel moyen inférieur à celui des Blancs, lui valurent en particulier de nombreuses critiques et accusations de racisme scientifique.

Shockley fut désigné par le Time Magazine comme l'une des 100 personnes les plus influentes du XX siècle.