Dopage (semi-conducteur) - Définition
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Applications du dopage
Modulation des concentrations de porteurs
Le dopage de substrats semi-conducteurs permet de moduler leur conductivité électrique sur une large gamme. Ainsi, des semi-conducteurs fortement dopés (appelés N++ et P++) ont une conductivité proche de celle des métaux. Ces zones fortement dopées sont notamment rencontrées lorsque l'on souhaite réaliser des contacts ohmiques.
On considère en général qu'un cristal comporte :
- Ccristal = 1022 atomes/cm3.
L'une de nos hypothèses est que la concentration en impuretés doit rester négligeable devant celle des atomes du cristal, disons de deux ordres de grandeur. Prenons donc au maximum :
- Cimpuretes = 1020 at/cm3
On peut faire varier la concentration des porteurs comme 1:1000, donc jusqu'à
- Cimpuretes = 1017 at/cm3.
Cela donne une marge de conductivité électrique allant de
- σ = 10 − 9 à 103 :Ω-1cm-1.
À titre de comparaison, les valeurs de conductivité sont d'environ
Dispositifs et composants
Le dopage des semi-conducteurs intervient dans la réalisation de nombreux dispositifs électroniques : jonction P-N, transistor, DEL, diode laser, photodiode, hétérojonction à modulation de dopage
