Le memristor a été utilisé pour caractériser le comportement des piles électriques.
L’intérêt des memristors a été vivement repris en 2007 quand une version expérimentale de semiconducteur a été annoncée par Stanley Williams de Hewlett-Packard. Un composant semi-conducteur n’a pas pu être construit jusqu’à ce que le comportement inhabituel des nanomatériaux le rende possible. HP a prototypé une mémoire à bascule/interrupteur matriciel (crossbar latch) en utilisant des composants pouvant contenir 100 gigabits dans un centimètre carré. Les mémoires flash ayant actuellement la densité la plus élevée stockent 64 Gbit dans la même surface, pour comparaison. La résistance des nouveaux composants pourrait être lue par un courant alternatif sans affecter la valeur comprise dans l’enregistrement.
A noter que Samsung possède un brevet américain d’application pour un memristor similaire à celui décrit par Williams.