| Tétrafluorure de silicium | |||
|---|---|---|---|
| Général | |||
| Synonymes | tétrafluorosilane | ||
| No CAS | |||
| No EINECS | |||
| PubChem | |||
| SMILES | |||
| InChI | |||
| Apparence | gaz incolore, d'odeur acre. | ||
| Propriétés chimiques | |||
| Formule brute | SiF4 | ||
| Masse molaire | 104,0791 ± 0,0003 g·mol-1 | ||
| Propriétés physiques | |||
| T° fusion | -90 °C | ||
| T° ébullition | -86 °C | ||
| Solubilité | dans l'eau : réaction | ||
| Masse volumique | 1 660 kg·m-3 à -95 °C 4,681 kg·m-3 à 0 °C (gaz) | ||
| Point critique | 37,2 bar, -14,15 °C | ||
| Propriétés électroniques | |||
| 1re énergie d'ionisation | 15,24 ± 0,14 eV (gaz) | ||
| Cristallographie | |||
| symbole de Pearson | cI10 | ||
| Classe cristalline ou groupe d’espace | I43m (n°217) | ||
| Précautions | |||
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0 3 2 | |||
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Le tétrafluorure de silicium, également appelé tétrafluorosilane, est un composé du silicium de formule SiF4 qui se présente sous forme d'un gaz incolore dont la plage d'existence à l'état liquide est singulièrement étroite : entre -90 °C et -86 °C.
En microélectronique, le tétrafluorure de silicium est utilisé dans l'implantation ionique, et, en conjonction avec le silane (SiH4), pour le dépôt de silice fluorée par PECVD.