Des chercheurs de l'Université d'Aix-la-Chapelle, de l'Institut Fraunhofer d'ingénierie laser d'Aix-la-Chapelle et de la société Philips ont mis au point un procédé de lithographie permettant de miniaturiser les puces en silicium avec toujours plus de précision.
Wafer Intel en 45 nanomètres
La miniaturisation est actuellement la clé de l'augmentation
de la puissance des microprocesseurs
Les procédés actuels émettent un rayonnement ultraviolet (UV) d'une longueur d'onde de 193 nanomètres, permettant ainsi de graver des structures avec une finesse de trait de 50 nm. Afin de pouvoir augmenter la capacité des puces et leur rapidité, l'industrie microélectronique souhaite pouvoir réduire la taille de ces structures. Un changement technologique radical est nécessaire et ces nouvelles exigences semblent pouvoir être satisfaites à travers l'utilisation des rayonnements EUV (ultra violet profond).
Le Dr. Willi Neff (Chaire des technologies plasma à l'Université d'Aix-la-Chapelle) et ses collègues produisent cette lumière EUV dont le rayonnement a une longueur d'onde de 13,5 nm. Elle permet de graver les puces avec une résolution inférieure à 45 nm. Cependant, de nombreux tests sont nécessaires : afin de produire ces rayons, les chercheurs ont utilisé un plasma dans lequel du zinc a été fortement chauffé. Ce plasma doit toutefois être contrôlé avec soin afin de garantir la fiabilité et la durée de vie du futur système.
En outre, la faible longueur d'onde des rayons rend impossible l'emploi de lentilles pour diriger la lumière sur la surface de la puce comme sur les procédés actuels. Pour parer ce phénomène, les chercheurs se servent d'une série de miroirs de précision formés de plusieurs couches de molybdène et de silicium.
