Le graphène et l'électronique, chasse aux records !

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Le graphène, ce matériau, qui est composé d'un seul plan d'un cristal de graphite, et qui a donc la même structure réticulaire qu'un nanotube déroulé, partage un grand nombre des propriétés mirobolantes des nanotubes de carbone, et notamment la mobilité électronique la plus élevée, à température ambiante, parmi tous les matériaux connus.

Ces propriétés font des structures à base de carbone des composants idéaux pour les applications dans les circuits à haute fréquence. De plus, la nature intrinsèquement bidimensionnelle du graphène le rend spécialement adapté à la fabrication de composants électroniques et de circuits intégrés, en utilisant les procédés planaires familiers à l'industrie des semiconducteurs.

Représentation du graphène

En utilisant ce "matériaux-miracle", les chercheurs du Centre de Recherche J. Watson de IBM à Yorktown Heights ont fabriqué des transistors de type top-gated, c'est-à-dire avec une grille déposée par-dessus. Une fois caractérisés, les transistors n'ont pas déçu : ils se comportent comme des transistors à effet de champ (FET) usuels, avec une fréquence de coupure (cutoff frequency) qui peut atteindre les 26 GHz pour une longueur de grille de 150 nm. Dans l'article qui est paru en ligne sous forme de preprint, les auteurs de l'étude signalent que leurs résultats indiquent que, à condition de pouvoir maintenir la mobilité élevée du graphène pendant tout le procédé de fabrication, des composants FET caractérisés par une fréquence de coupure avoisinant le TeraHertz (le Saint Graal des technologues) pourront être réalisés avec une longueur de grille de seulement 50 nm. Rappelons qu'avec des composants à base de silicium, on doit réduire la taille de la grille au-dessous de 30 nm pour pouvoir atteindre des fréquences d'environ 300 GHz.

Le hic (car il y a toujours un hic) est que pour l'instant, le diélectrique de la grille diminue drastiquement les performances du transistor graphénique, en jetant ainsi aux orties les bienfaits de la mobilité intrinsèque du matériau. Le procédé de fabrication devra donc être sensiblement amélioré avant que ces composants innovants puissent tenir leurs promesses.

Le silicium n'est sûrement pas le matériau du futur, mais ce futur sans silicium ne fait que s'annoncer.

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buck

J'aime bien la derniere phrase :D

Silicium still alive

Le record sur du silicium en vitesse c'est plus de 500 GHz fait par IBM, avec une longueur de grille de 20nm il me semble

J'aimerais bien voir la tenue en forte tension du graphene, ca m'interresserait

VI
Victor

En électronique une plus grande mobilité ça veut dire une densité électronique par cm² plus élevée... Vous pouvez en dire plus

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buck

Victor
En électronique une plus grande mobilité ça veut dire une densité électronique par cm² plus élevée... Vous pouvez en dire plus

comment ca ?
la mobilite c'est des cm2/(V.s)

VI
Victor

ben qu'il ya plus de porteurs de charges par centimètres cubes

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Ze Venerable

Je découvre ce que c'est la mobilité. Pour un électron ça n'a de sens que s'il se déplace dans un milieu qui le "freine" (car sinon quelque soit E il accélèrera jusqu'à C) ?

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cisou9

Il n'atteindra pas C car il lui faudrait une tension trop élevée. :siffle:

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Ze Venerable

Quelque soit la force de poussée, la vitesse de tout objet tend vers C (mais ca peut prendre des siècles pour commencer à flirter avec C).

Je pense que pour que la mobilité de l'électron ait un sens il faut qu'il se déplace dans un milieu qui exerce une force s'opposant à son avancement (et qui tend à augmenter avec la vitesse de l'électron). L'accélération de l'électron est nulle lorsqu'il a atteint la vitesse pour la quelle la résistance du milieu compense la force électrique, c'est comme quand on saute d'un avion et qu'on se stabilise à 300km/h .

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buck

La mobilite represente la capacite a se mouvoir de l'electron ou du trou

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Ze Venerable

ui, et d'après wiki c'est égal à Vd/E, avec Vd la vitesse qu'atteint l'électron en présence d'un champ E. Mais si l'électron n'est pas dans un milieu "résistif", quelque soit E sa vitesse ne cessera d'augmenter et donc on ne peut parler je pense de sa mobilité.

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buck

mouais
La mobilite depend de pas mal de parametres :
volume du dispositif
facteurs limitants:

  • resistance du materiau
  • rugosite de surface
  • composantes du champ electrique (perpendiculaire)
  • distribution des dopants
  • quantite de porteurs
  • phonons
  • temperature
  • type de charge .... (tout ca combine c'est chiant a calibrer, et heureusement qu'il y a la loi de mathiewsen 1/µ=somme 1/µ(des contributions) Alors oui c'est une sorte de vitesse mais qui englobe pas mal de choses en fait. Si tu reduits tes dispositifs tu change de type de mode de deplacement des porteurs: resitif a balistique puis quantique (dans ce cas peut on parler de vitesse ? ) avec des niveaux intermediaires
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Ze Venerable

et c'est possible que dans certains milieux la mobilité varie si on fait varier l'intensité de E ?

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buck

oui notament via la parte transverse du champs E, et aussi qd tu as de fort champs qui s'appliquent

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Ze Venerable

la partie transverse de E ? LA trajectoire de l'électron n'est pas en tout point tangentielle à E ?

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buck

a E longitudinal oui, mais comme le dispositif n'est pas purement plan et bien fait les autres conposantes jouent aussi

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Ze Venerable

ha oui je comprends, pour moi le milieu n'avait pas spécialement la forme d'un fil, c'était un truc "grand" dans les 3 directions, je voyais pas relativement à quoi on pouvait définir une composante transversale

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buck

Pour ma part je les voit en 2D, dc j'y susi plus sensible (et pis bon je me suis colel au calibrage du modele de mobilite pdt ma these)

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Ze Venerable

je dois avouer que zé pas eu le courage de m'y plonger...

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buck

t'inquiete pas , pas de soucis :d je me doute bien que suivre une these qui n'est de son domaine ca peut etre ardu a suivre