Quand les nanofils trouvent leur place

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Positionner avec précision des milliers de nanofils sur un substrat grâce à une technique reproductible à grande échelle et à faible coût. C’est le résultat obtenu par des chercheurs du LAAS-CNRS. Publié dans la revue Advanced Materials, il ouvre de nouvelles perspectives pour l’introduction des nanofils dans l’industrie des semi-conducteurs.

© Florent Seichepine, Maéva Collet, Guilhem Larrieu © LAAS-CNRS
Technique innovante, combinant phénomène de diélectrophorèse et assemblage capillaire, permettant d'aligner avec succès des milliers de nanofils uniques à des endroits spécifiques d'un substrat. Les nanofils sont piégés sélectivement en tirant profit de la dépendance en fréquence spécifique à chaque matériau.

Les nanostructures unidimensionnelles (nanofils) sont considérées comme la brique de base idéale pour la fabrication de nombreux nanodispositifs. En nanotechnologies, le domaine de recherche qui les concerne est l’un des plus féconds de la dernière décennie. Des progrès impressionnants ont notamment été réalisés au niveau de la croissance de ces nanostructures ainsi que dans la fabrication des démonstrateurs les intégrant, dans des domaines aussi variés que la nanoélectronique, la photonique, la récupération d’énergie ou la biodétection. Toutefois, l'assemblage contrôlé de nanofils à grande échelle reste l’un des principaux verrous entravant leur introduction massive dans l'industrie des semi-conducteurs.

Des chercheurs du LAAS-CNRS de Toulouse ont démontré une technique innovante pour la mise en place précise à grande échelle de nanostructures unidimensionnelles à un faible coût. L’originalité de cette technique ? Combiner assemblage capillaire et diélectrophorèse (1) pour une localisation contrôlée des nanofils. L’assemblage capillaire permet de balayer une grande surface avec une goutte de liquide contenant les nanofils alors que des électrodes attirent ces fils dans des zones précises du substrat par force diélectrophorèse. Cette technique permet ainsi d'aligner avec succès des milliers de nanofils uniques à des endroits précis, à l'échelle d’un substrat entier. De plus, cette approche ouvre de multiples perspectives puisqu’elle permet de trier les nanofils suivant leur composition chimique, de co-intégrer plusieurs types de nanofils côte à côte ou de créer des structures plus complexes à base de nanofils comme des croix.

Enfin, la versatilité de cette approche (possibilité d’intégration sur un substrat alternatif tel que du verre, du papier, des substrats organiques flexibles ou encore dans le volume d’interconnexion d’un circuit intégré), la rend particulièrement prometteuse pour un traitement à grande échelle des circuits électroniques à base de nanofils.

Note:

(1) La diélectrophorèse est un phénomène dans lequel une force est exercée sur une particule diélectrique lorsqu'elle est soumise à un champ électrique non uniforme.

Référence :Large-scale assembly of single nanowires through capillary-assisted dielectrophoresis.

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cisou9

___________ :_salut:
Bonjour.
LnAs qu'est que c'est ? ____ :??: _____ :grat:

IG
ignotus

Bon(jourOUsoir) à Tou(te)s
Une question me vient immédiatement au vu de la possibilité (que j'ai cru comprendre) de connecter bout à bout des nanofils entre eux : voilà qui permettrait d'obtenir de grandes longueurs (bien supérieurs aux microns actuels) et, en torsadant tout ça, d'obtenir enfin des cables en nanotubes ? je vous laisse entrevoir les applications...
Alors, dites-moi que j'ai mal compris, que c'est pas encore ça, bref, qu'il ne faut pas (pour l'instant)... REVER !
En esoérant une réponse qui nous éclaire,
Bonne Année à Tou(te)s

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POB

LnAs qu'est que c'est ?

Ce n'est pas LnAs mais InAs : arséniure d'indium.

Regardez la table de classification (extrait) :

Maintenant, on va rappeler un peu d'histoire de l'électronique appliquée.

Le substrat le plus classique est le silicium, qui peut échanger des électrons dans les deux sens. En le dopant avec de l'aluminium (qui le précède) et du phosphore (qui le suit), on obtient des transistors. C'est la technologie classique TTL.
Plus sophistiquée est la technologie CMos. Le substrat n'est pas du germanium (sous le silicium, avec des propriétés électroniques comparables) mais de l'arseniure de gallium, As étant au-dessous de P et Ga au-dessous de Al.
En remplaçant Ga par In (situé au-dessous) on obtient un nouveau type de substrat InAs (arseniure d'indium) qui aura des propriétés du même genre que GaAs.
Je suis une bille en physique du solide et pas une épée en chimie classique, je ne touche pas trop ma bille non plus en électronique, juste assez pour comprendre un circuit classique avec transistors, diodes, capacités et résistances, du genre de ce que j'ai bricolé pendant des années pour mes cours ou pour mes usages personnels.

Enfin, la versatilité de cette approche (...) la rend particulièrement prometteuse (...)

La versatilité étant un trait de caractère qui consiste à changer d'avis comme de chemise (ou de pantalon, comme chantait Dutronc), je comprends mal l'usage du mot dans ce contexte.
:bieres:

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buck

Salut
En effet c'est l'arsenure d'indium, un des nombreux substrats qu'on a en microelectronique (Si, SiGe, AsGa, InP, AsGaAl ....)

Correction madame POB, l'aluminium ne sert pas de dopant tout du moins pour les substrats a base de silicium mais de metal conducteur au meme titre que le cuivre ;) que ce soit en technologie CMOS (Complementary Metal Oxide Silicon/Substrat) ou bipolaire

Les cas ou je l'ai vu utilise c'est en combinaison avec les materiaux III V mais il sert surtout pour les transitions de changement d'arrangement atomique entre les 2 autres materiaux (et qui coutent la peau des fesses)

Pour la versalite ca vient du mot anglais versatile qui signifie polyvalent. En cherchant un peu le mot francais a la meme definition

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cisou9

____________ :_salut:
Ok j'ai lu un L minuscule alors que c'était un i majuscule ... ____ :(
Hureusement que j'ai pris rendez-vous avec mon ophtalmologue _____________ :yxt:

IG
ignotus

Hé les copains,
Y a personne qui peut me faire rêver sur mes nanotubes ? (Voir ma précédente question ci-dessus)
S'il vous plait, les spécialistes, éclairez-nous !
Merci d'avance et re-bonne année pleine d'inovations technologiques