[News] Premiers transistors "HighK Metal Gate" sur plaques de 300 mm
Publié : 27/06/2005 - 0:00:30
Un an après l’inauguration de sa plate-forme Nanotec 300, dédiée à la recherche technologique amont pour la fabrication de composants électroniques de 45 et 32 nanomètres sur tranches de silicium de 300 mm, le CEA Leti sort ses premiers transistors HighK Metal gate sur plaques 300 mm.
Avec ces premières plaques réalisées en étroite collaboration avec les industriels de l’Alliance Crolles 2 -STMicroelectronics, Freescale Semiconductors et Philips Semiconductors-, les chercheurs ...
