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Des chercheurs de l'Irig ont étudié les effets de l'irradiation par ions lourds sur les dispositifs à jonction tunnel magnétique de MRAM à forte densité, mettant en jeu les processus de fabrications les plus récents qu’ils ont développés. Ils ont également étudié la tolérance aux perturbations à événement unique et la modification des propriétés magnétiques. L’environnement spatial soumet les systèmes électroniques à rude épreuve où ils subissent de fortes variat...